[发明专利]SRAM的6T存储单元结构

摘要

本发明公开了一种SRAM的6T存储单元结构，由第一和第二选择管、第一和二PMOS管、第一和第二NMOS管连接成6T存储单元结构，两个选择管分别形成在第一和二有源区中；两个PMOS管形成在第三有源区中；两个NMOS管形成在第四有源区中；第一和第二有源区都具有第一宽度，第三有源区具有第二宽度，第四有源区具有第三宽度，第三宽度大于第一宽度大于第二宽度，用以优化电路读窗口和写窗口，沟道区宽度相同的晶体管设置在相同的有源区中，各有源区都分别采用相同的宽度的设置，能防止有源区宽度渐变。本发明能消除有源区的宽度变化对晶体管的沟道长度和宽度的影响，从而能提高器件之间的匹配度并从而提高良率，能增大工艺窗口。

主权项

1.一种SRAM的6T存储单元结构，其特征在于：由第一选择管、第二选择管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管这6个晶体管连接成6T存储单元结构，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管作为两个上拉管，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管作为两个下拉管；所述第一选择管形成在第一有源区中，所述第二选择管形成在第二有源区中；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管形成在第三有源区中；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管形成在第四有源区中；所述第一有源区和所述第二有源区都具有第一宽度，以所述第一宽度确定所述第一选择管和所述第二选择管的沟道区的宽度；所述第三有源区具有第二宽度，以所述第二宽度确定所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的沟道区的宽度；所述第四有源区具有第三宽度，以所述第三宽度确定所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的沟道区的宽度；所述第三宽度大于所述第一宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度，所述第一宽度、所述第二宽度和所述第三宽度的设置用以优化所述6T存储单元结构的读窗口和写窗口；所述第一有源区、所述第二有源区和所述第三有源区都分别采用相同的宽度的设置，能防止在同一有源区的宽度不同时所采用的有源区产生宽度渐变并防止由有源区的宽度渐变使6个晶体管中的相应的晶体管的沟道区的有效宽度和有效长度产生变化，从而提高所述6T存储单元结构内的器件匹配。