[发明专利]忆阻器及其制作方法有效
| 申请号： | 201811515757.9 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109659434B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王恒;戴阳;陶华露;易成汉;李文杰;钟国华;杨春雷 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;吕颖 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种忆阻器，其包括衬底以及设置在衬底上的间隔的第一电极功能层和第二电极功能层；其中，第一电极功能层和第二电极功能层之间通过纳米线或纳米带连接以实现电子导通。本发明的忆阻器改变了传统的“三明治结构”的忆阻器，通过在衬底上的同一平面上设置两部分间隔的电极功能层，并利用纳米线或纳米带实现二者之间的电子导通，能够保证该忆阻器在循环的正负电压下进行高电阻和低电阻切换，并且得到高电阻值/低电阻值(HRS/LRS)。本发明还提供了上述忆阻器的制作方法，其简化了工艺，也使器件的测试更为便利。 | ||
| 搜索关键词： | 忆阻器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种忆阻器，其特征在于，包括衬底以及设置在所述衬底上的间隔的第一电极功能层和第二电极功能层；其中，所述第一电极功能层和所述第二电极功能层之间通过纳米线或纳米带连接以实现电子导通。
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