[发明专利]功率半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811517976.0 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109768078A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 泉州臻美智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/336;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 362216 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了功率半导体器件，其包括：第一导电类型的外延层，自外延层的上表面向下形成的第二导电类型的注入区，形成在注入区上表面的绝缘层，自外延层的上表面向下形成的N型的截止环，截止环包括与划片道区邻接的连接部及与连接部垂直且间隔延伸的多个柱体，柱体与注入区连接，填充在两个两个柱体之间且与所述注入区连接的P型的体区，形成在注入区、截止环和体区的上表面的介质层，介质层与绝缘层连接，形成在介质层的上表面的金属场板，且金属场板贯穿介质层依次与注入区、体区和柱体电性连接。本发明还公开了一种上述功率半导体器件的制备方法。其能减小功率器件的体积，且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 注入区 上表面 介质层 柱体 功率半导体器件 截止环 外延层 体区 绝缘层 金属场板 向下形成 制备 第一导电类型 连接部垂直 导电类型 电性连接 功率器件 划片道区 邻接 减小 填充 延伸 贯穿 | ||
【主权项】：
1.功率半导体器件，其特征在于，其包括：第一导电类型的外延层，自所述外延层的上表面向下形成的第二导电类型的注入区，形成在所述注入区上表面的绝缘层，自所述外延层的上表面向下形成的N型的截止环，所述截止环包括与划片道区邻接的连接部及与所述连接部垂直且间隔延伸的多个柱体，所述柱体与所述注入区连接，填充在相邻两个柱体之间且与所述注入区连接的P型的体区，形成在所述注入区、所述截止环和所述体区的上表面的介质层，所述介质层与所述绝缘层连接，形成在所述介质层的上表面的金属场板，且所述金属场板贯穿所述介质层依次与所述注入区、所述体区和所述柱体电性连接。
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