[发明专利]刻蚀方法、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811519338.2 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111312587B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 谢岩;邹浩;丁振宇 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀方法、半导体器件及其制造方法，所述刻蚀方法包括：步骤S1，提供一具有开口的衬底；步骤S2，沉积掩膜材料于所述开口的侧壁和底壁上；步骤S3，去除所述开口底壁上的所述掩膜材料，以暴露出所述开口底部的所述衬底的表面；步骤S4，以所述开口侧壁上的掩膜材料为掩膜，沿所述开口向下刻蚀所述开口底部的所述衬底，以增大所述开口的深度；步骤S5，循环执行步骤S2至S4，直至所述开口的深度达到预设要求。本发明的技术方案使得具有很小的开口宽度的结构中能够刻蚀形成很深的开口，且使得所述开口侧壁的形貌保持不变。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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