[发明专利]薄膜晶体管以及制备方法有效
| 申请号： | 201811519352.2 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109638082B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 徐苗;徐华;李美灵;王磊;李民;庞佳威;陈子楷;彭俊彪;邹建华;陶洪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种薄膜晶体管以及制备方法，该薄膜晶体管包括：基板；形成在基板上的栅极层、第一绝缘层和有源层；形成在有源层上的图案化的源极和漏极，分别与有源层电连接；形成在图案化的源极和漏极上的有机钝化层，有机钝化层与有源层直接接触；有源层包括金属氧化物，金属氧化物包括铟的氧化物In |
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| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；形成在基板上的栅极层；形成在所述栅极层上的第一绝缘层；形成在所述第一绝缘层上的有源层；形成在所述有源层上的图案化的源极和漏极，分别与所述有源层电连接；形成在所述图案化的源极和漏极上的有机钝化层，所述有机钝化层与所述有源层直接接触；所述有源层为金属氧化物，所述金属氧化物包括铟的氧化物In2O3和第五副族元素的氧化物MO组成的复合氧化物(In2O3)a(MO)b，其中，a+b＝1，0.10≤b≤0.50；所述有机钝化层为聚合物有机物材料，所述聚合物有机物材料包括酰亚胺基聚合物、酰胺基聚合物、乙烯醇基聚合物、苯酚基聚合物、丙烯基聚合物、烯丙醚基聚合物、聚乙烯吡咯烷酮、氟基聚合物和聚乙酸乙烯酯中的中的一种或者多种。
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