[发明专利]异方性导电膜制造方法及其设备有效

专利信息
申请号: 201811520080.8 申请日: 2018-12-12
公开(公告)号: CN109637699B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 郭子豪 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开一种异方性导电膜制造方法及其设备。所述异方性导电膜制造方法,包含步骤:(a)提供一第一基板,具有多个金属触点;(b)设置一树脂层于所述第一基板上,并覆盖所述多个金属触点;(c)提供一压头,具有一吸取图案对应于所述多个金属触点设置;(d)通过所述压头吸取多个导电粒子;及(e)通过所述压头将所述多个导电粒子压入所述树脂层中。本发明通过将导电粒子相对于基板上的触点设置,以达到减少触点间短路的问题,从而提高产品的良率及信赖性。
搜索关键词: 异方性 导电 制造 方法 及其 设备
【主权项】:
1.一种异方性导电膜制造方法,其特征在于:所述异方性导电膜制造方法包含步骤:(a)提供一第一基板,具有多个金属触点;(b)设置一树脂层于所述第一基板上,并覆盖所述多个金属触点;(c)提供一压头,具有一吸取图案对应于所述多个金属触点设置;(d)通过所述压头吸取多个导电粒子;及(e)通过所述压头将所述多个导电粒子压入所述树脂层中。
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