[发明专利]具有负反馈电容的IGBT器件及制作方法有效
| 申请号： | 201811521396.9 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109671626B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 左义忠;杨寿国;王修忠;高宏伟;邢文超 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王术兰 |
| 地址： | 132013 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有负反馈电容的IGBT器件及制作方法，涉及半导体器件技术领域，包括N型单晶硅、多晶硅电极、P+层、金属层、沟槽形电容的绝缘氧化层、CS电荷存储层以及半导体的P阱区；多晶硅电极通过沟槽形电容的绝缘氧化层与CS电荷存储层以及N型单晶硅形成沟槽形负反馈电容；多晶硅电极以及P+层通过金属层与半导体的P阱区进行欧姆接触；负反馈电容进行充放电时，充放电电流通过半导体的P阱区形成压降，该方式通过在IGBT原胞中设置沟槽形负反馈电容降低了米勒电容的产生的偏压，提高了IGBT器件的开关性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 负反馈 电容 igbt 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有负反馈电容的IGBT器件，其特征在于，包括：N型单晶硅、多晶硅电极、P+层、金属层、沟槽形电容的绝缘氧化层、CS电荷存储层、以及半导体的P阱区；所述多晶硅电极通过所述沟槽形电容的绝缘氧化层与所述CS电荷存储层以及所述N型单晶硅形成沟槽形负反馈电容；所述多晶硅电极以及所述P+层通过所述金属层与所述半导体的P阱区进行欧姆接触；所述沟槽形负反馈电容进行充放电时，充放电电流通过所述半导体的P阱区形成压降。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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