[发明专利]基区电阻控制晶闸管、发射极开关晶闸管及制备方法在审
| 申请号： | 201811521771.X | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109616517A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 胡飞;宋李梅;韩郑生;罗家俊;杜寰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种基区电阻控制晶闸管、发射极开关晶闸管及制备方法，该基区电阻控制晶闸管，包括：衬底材料层、漂移区、表面结构层以及电极结构；漂移区为水平方向上交叉排列的N‑P‑N‑P型柱区构成的超结结构。本公开提供的基区电阻控制晶闸管、发射极开关晶闸管及制备方法中，漂移区采用超结结构，提高漂移区掺杂浓度、减小漂移区电阻，增强了晶闸管NMOS触发电流，同时利用超结P柱区抽取底部注入空穴，增大了晶闸管P基区空穴电流密度，加快了晶闸管开启，消除了snapback现象。超结漂移区电荷耦合效应增强了关断过程中对存储电荷的抽取作用，提高了MOS栅控晶闸管的关断速度，减小了关断功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 晶闸管 漂移区 基区电阻 发射极开关晶闸管 制备 空穴 超结结构 超结 关断 减小 抽取 表面结构层 衬底材料层 触发电流 存储电荷 电荷耦合 电极结构 关断过程 交叉排列 电阻 功耗 基区 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种基区电阻控制晶闸管，包括：衬底材料层；漂移区，其为水平方向上交叉排列的N‑P‑N‑P型柱区构成的超结结构，形成于所述衬底材料层的上表面；表面结构层，形成于所述漂移区的上表面；以及电极结构，分别与所述衬底材料层和所述表面结构层连接。
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