[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201811522098.1 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109637972A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 林永璨;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 周阳君 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及浅沟槽隔离结构及其形成方法。在一个实施例中，本公开涉及一种浅沟槽隔离结构，包括形成在接地的半导体衬底中的浅沟槽；形成在浅沟槽的侧壁及底部上的氧化层；形成在氧化层上以填满所述浅沟槽的导电填充体，其中导电填充体被施加负电势以使得半导体衬底与浅沟槽的界面处的自由电荷在负电势的驱动下通过半导体衬底流向地。 | ||
| 搜索关键词： | 浅沟槽 浅沟槽隔离结构 衬底 半导体 负电势 填充体 氧化层 导电 自由电荷 接地 界面处 侧壁 填满 施加 驱动 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构，包括：浅沟槽，形成在接地的半导体衬底中；氧化层，形成在浅沟槽的侧壁及底部上；以及导电填充体，形成在氧化层上以填满所述浅沟槽；其中导电填充体被施加负电势以使得半导体衬底与浅沟槽的界面处的自由电荷在负电势的驱动下通过半导体衬底流向地。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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