[发明专利]含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质和含硅膜的蚀刻装置有效
| 申请号： | 201811523845.3 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110034019B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 高桥信博;竹谷考司;田内启士 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质和含硅膜的蚀刻装置。在对基板上的含硅膜进行蚀刻之际，对该含硅膜的蚀刻量的面内分布恰当地进行控制。在对晶圆(W)上的SiGe膜进行蚀刻之际，向SiGe膜供给含有小于ClF |
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| 搜索关键词： | 含硅膜 蚀刻 方法 计算机 存储 介质 装置 | ||
【主权项】：
1.一种含硅膜的蚀刻方法，其是对基板上的含硅膜进行蚀刻的方法，其特征在于，向所述含硅膜供给含有小于ClF3的分子量的含氟气体的蚀刻气体，通过对所述蚀刻气体的流速进行控制，来对所述含硅膜的中心部和外周部的蚀刻量进行控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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