[发明专利]一种在非连续导电膜上电沉积WO3薄膜的方法有效
申请号: | 201811524672.7 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN109402561B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 郭文熹;王亚楠;李戌一;李艳冉;刘向阳 | 申请(专利权)人: | 厦门大学;厦门大学深圳研究院 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/35;C25D5/18;C25D9/04;D04H1/4309;D04H1/728;C23C28/04 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种在非连续导电膜上电沉积WO3薄膜的方法,涉及功能材料技术。利用磁控溅射技术在PET薄膜表面溅射WO3,得WO3/PET膜;通过静电纺丝获得PVA纳米纤维网,在所述PVA纳米纤维网的表面形成金属银包覆,去除PVA模板得到纳米槽导电网格并将其转移至所得的WO3/PET膜上,得复合薄膜;在复合薄膜上磁控溅射WO3顶级层,形成三明治结构的透明导电基底;采用电化学沉积法在三明治结构的透明导电基底制备WO3变色层,完成在非连续导电膜上电沉积WO3薄膜。不仅节约了成本,而且使得高透过率的非连续导电膜在电化学沉积法中得到应用。 | ||
搜索关键词: | 导电膜 非连续 上电 沉积 薄膜 电化学沉积法 纳米纤维网 三明治结构 复合薄膜 透明导电 表面形成金属 磁控溅射技术 功能材料技术 磁控溅射 导电网格 高透过率 基底制备 静电纺丝 变色层 基底 溅射 去除 节约 应用 | ||
【主权项】:
1.一种在非连续导电膜上电沉积WO3薄膜的方法,其特征在于包括以下步骤:1)利用磁控溅射技术在PET薄膜表面溅射WO3,得WO3/PET膜;2)通过静电纺丝获得PVA纳米纤维网,在所述PVA纳米纤维网的表面形成金属银包覆,去除PVA模板得到纳米槽导电网格并将其转移至步骤1)所得的WO3/PET膜上,得复合薄膜;3)在步骤2)所得的复合薄膜上磁控溅射WO3顶级层,形成三明治结构的透明导电基底;4)采用电化学沉积法在三明治结构的透明导电基底制备WO3变色层,完成在非连续导电膜上电沉积WO3薄膜。
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