[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201811524703.9 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110970062B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 金东赫;吴星来;丁寿男 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：多条位线，其电联接到存储器单元阵列，并且在第一方向上延伸；多个位线触点焊盘，其形成在基板上方的第一平面上，并且分别通过位线触点联接到多条位线；以及多个第一触点焊盘，其形成在第一平面上，分别通过再分配线联接到多个位线触点焊盘，并且通过第一触点电联接到设置在基板上的页缓冲器电路，其中，在与第一方向交叉的第二方向上设置成一行的至少两个位线触点焊盘所对应的至少两个第一触点焊盘在第一方向上设置成一行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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