[发明专利]一种能够改善空穴传输能力的半导体发光器件在审
| 申请号： | 201811525569.4 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111326626A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李建华;李全杰;刘向英 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 毋雪 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种能够改善空穴传输能力的半导体发光器件，包括衬底层；缓冲层，位于衬底层上；N型半导体层，位于缓冲层上；N型掺杂层，位于N型半导体层上；量子阱发光层，位于N型掺杂层上；功能层，位于量子阱发光层上，其中，功能层包括依次层叠于量子阱发光层上的电子阻挡层、第一空穴注入层和第二空穴注入层；P型半导体层，位于P型掺杂层上。本发明通过电子阻挡层能够有效阻止多于的电子从量子阱发光层跃迁至P型半导体层，从而避免消耗P型半导体层产生的空穴，还通过第一空穴注入层和第二空穴注入层提高注入至量子阱发光层的空穴浓度，从而提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能够 改善 空穴 传输 能力 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
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