[发明专利]一种发光二极管在审
| 申请号： | 201811525644.7 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111326629A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李建华;李全杰;刘向英 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 毋雪 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管，包括衬底层；缓冲层，位于所述衬底层上；低温氮化镓层，位于所述缓冲层上；非故意掺杂氮化镓层，位于所述低温氮化镓层上；超晶格层，位于所述非故意掺杂氮化镓层上；N型半导体层，位于所述超晶格层上；N型掺杂层，位于所述N型半导体层上；量子阱发光层，位于所述N型掺杂层上；电子阻挡层，位于所述量子阱发光层上；P型掺杂层，位于所述电子阻挡层上；P型半导体层，位于所述P型掺杂层上。本发明的发光二极管中设置有低温氮化镓层、非故意掺杂氮化镓层、氮化镓超晶格层和超晶格插入层，从而提高了发光二极管的发光质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
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