[发明专利]栅驱动集成电路及其形成方法有效
| 申请号： | 201811525676.7 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111326581B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 喻兰芳;罗海龙;李伟 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅驱动集成电路及其形成方法。栅驱动集成电路中其场板结构的多个第一导电层在单一结构层中单层排布，使场板结构构成单层场板结构。以及，单层场板结构中的多个第一导电层能够沿着从漏区至源区的方向依次耦合以实现耦合分压，进而改善器件的耐压性能；并且单层场板结构其制备工艺更为简洁，并且还能够大降低了场板结构和衬底之间的台阶高度差，从而有利于实现器件尺寸的缩减。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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