[发明专利]一种晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201811525821.1 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110010472A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 泉州臻美智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 362216 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶体管及其终端结构的制作方法，本发明方法包括如下步骤：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上表面形成第一导电类型的外延层，在所述外延层上表面形成注入区，在所述注入区上表面形成第一沟槽，在所述外延层及所述第一沟槽上表面形成第一氧化层，在所述第一沟槽内形成多晶硅层，在所述多晶硅层上表面形成若干第二沟槽，在所述外延层及所述多晶硅层上表面形成第二氧化层和接触孔，在所述晶体管上表面形成贯穿所述第二氧化层的源极金属层。本发明通过采用多晶硅层替代JTE结构的氧化层，降低了晶体管的制作成本，当功率器件反偏时，在多晶硅层外侧形成感应空穴，提高了器件的耐压稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 上表面 多晶硅层 外延层 氧化层 晶体管 第一导电类型 注入区 制作 空穴 衬底上表面 源极金属层 功率器件 终端结构 接触孔 衬底 反偏 耐压 替代 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管终端结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面形成第一导电类型的外延层；在所述外延层上表面形成注入区；在所述注入区上表面形成第一沟槽；在所述外延层及所述第一沟槽上表面形成第一氧化层；在所述第一沟槽内形成多晶硅层；在所述多晶硅层上表面形成若干第二沟槽；在所述外延层及所述多晶硅层上表面形成第二氧化层和接触孔；在所述晶体管上表面形成贯穿所述第二氧化层的源极金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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