[发明专利]集成电路封装和形成有穿塑孔晶圆级芯片尺寸封装的方法在审
| 申请号： | 201811526099.3 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110911359A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 吉瑟门尼贝里欧;胡守程;安托古特瑞兹;李杰瑞 | 申请（专利权）人： | 代罗半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 英国伦敦圣西*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成晶圆级芯片尺寸封装的方法，首先提供集成电路晶圆，再将介电材料施加到集成电路晶圆的表面，在介电材料上形成重分布导电层，以与集成电路的输入/输出触点接触。再将聚合物基膜施加到集成电路晶圆的表面上，并进行压缩模塑制程。将对准标记设置在集成电路晶圆的边缘上，再实施激光烧蚀制程，以在固化的热固性塑料中制备穿塑孔(TMV)。将焊球或铜柱的输入/输出连接器设置在穿塑孔(TMV)中。进行回流制程，以将输入/输出连接器连接到重分布导电层的接垫表面。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 封装 形成 有穿塑孔晶圆级 芯片 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于代罗半导体有限公司，未经代罗半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811526099.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：亚共晶铝硅合金的变质细化方法
- 下一篇：硅基粉末的杂质的洗涤装置以及方法
