[发明专利]晶圆级晶粒尺寸封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811526108.9 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110085564A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 哈皮·莫汀·穆罕默德;拉吉·沙亚·安德拉 | 申请（专利权）人： | 代罗半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/522;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;侯奇慧 |
| 地址： | 英国伦敦圣凯*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级晶粒尺寸封装结构和一种晶圆级晶粒尺寸封装结构的制造方法，其中，该晶圆级晶粒尺寸封装结构包括多个重分布层线路，经由第一聚合物层的开口连接于硅晶圆，开口贯穿第一聚合物层以供重分布层线路连接于硅晶圆上表面的金属焊垫。多个球金属底层，每一球金属底层经由第二聚合物层的开口连接一重分布层线路，第二聚合物层设置于第一聚合物层上。多个焊锡接点，每一焊锡接点设置于一球金属底层上。一金属电镀层设置于第一聚合物层下，且并未与任一重分布层线路接触。至少一隔绝对象设置于该多个重分布层线路其中的至少二者之间，此隔绝对象可为设置于两邻近重分布层线路间的金属栅栏或气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物层 重分布层 晶粒 尺寸封装 金属底层 开口 焊锡接点 硅晶圆 晶圆级 种晶 金属电镀层 对象设置 金属焊垫 金属栅栏 线路接触 线路连接 上表面 气隙 制造 邻近 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级晶粒尺寸封装结构，其特征在于，包括：多个重分布层线路，其经由一第一聚合物层的多个开口连接于一硅晶圆，其中该多个开口贯穿该第一聚合物层以供该多个重分布层线路电性连接于该硅晶圆的一上表面的金属焊垫；多个球金属底层，其中每一该球金属底层经由一第二聚合物层的开口连接一该重分布层线路，该第二聚合物层设置于该第一聚合物层之上；多个焊锡接点，每一该焊锡接点设置于一该球金属底层之上；一金属电镀层，设置于该第一聚合物层之下，且该金属电镀层并未与任一该重分布层线路接触；以及至少一隔绝对象，其设置于该多个重分布层线路其中的至少二者之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于代罗半导体有限公司，未经代罗半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811526108.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：内连线结构和其制作方法
- 下一篇：功率器件外壳端子、外壳以及加工工艺
