[发明专利]半导体器件与其制作方法

摘要

本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该制作方法包括：在第一衬底的表面上依次设置第一介质层、波导层和第二介质层形成第一待键合结构；形成包括第二衬底和设置在第二衬底表面上的第二预探测层的预探测结构，第二预探测层包括沿远离第二衬底方向依次叠置的第一子结构层和第二子结构层或者第二预探测层包括第二子结构层，第二子结构层的生长温度大于第一子结构层的生长温度；在第二子结构层的表面上设置第三介质层，形成第二待键合结构，第二介质层和第三介质层的材料相同；将第一待键合结构和第二待键合结构键合，形成键合结构；至少去除第二衬底，预探测结构中只剩余第二子结构层。该制作方法制备得到的探测器中的暗电流较小。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在第一衬底的表面上依次设置第一介质层、波导层和第二介质层，形成第一待键合结构；形成包括第二衬底和设置在所述第二衬底表面上的第二预探测层的预探测结构，所述第二预探测层包括沿远离所述第二衬底方向依次叠置的第一子结构层和第二子结构层或者所述第二预探测层包括第二子结构层，所述第二子结构层的生长温度大于所述第一子结构层的生长温度，所述第二子结构层的生长温度在600～1000℃之间，所述第二预探测层包括Ge和/或GeSi；在所述第二子结构层的表面上设置第三介质层，形成第二待键合结构，其中，所述第二介质层和所述第三介质层的材料相同；将所述第一待键合结构和所述第二待键合结构键合，形成键合结构，且所述键合结构中，所述第二介质层和所述第三介质层接触设置；至少去除所述第二衬底，使得所述预探测结构中只剩余所述第二子结构层。