[发明专利]一种激光焊接功率半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201811526928.8 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109530838B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 林卿 | 申请（专利权）人： | 武汉凌云光电科技有限责任公司 |
| 主分类号： | B23K1/005 | 分类号： | B23K1/005 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 俞鸿;王虹 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激光焊接功率半导体芯片的方法，其特征在于，步骤为：a.焊接芯片与散热衬底，将第一焊料片放置于散热衬底与芯片之间，调节第一激光束在在散热衬底上的光斑直径完全覆盖第一焊料片，发射激光瞬间加热散热衬底；b.焊接跳线与芯片，将第二焊料片放置于跳线与芯片之间，调节第二激光束的光斑直径不超过跳线范围，发射激光瞬间加热跳线；c.焊接跳线与引脚。本发明的步骤ab中涉及芯片正反两面的焊接，焊接过程都属于低温焊接，避免了芯片高温损坏的可能，而且激光不会直接照射芯片，避免了硅材料局部受热后开裂或电学特性改变的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 焊接 功率 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光焊接功率半导体芯片的方法，其特征在于，它包括：a.焊接芯片(2)与散热衬底(3)将第一焊料片(5)放置于散热衬底(3)与芯片(2)之间，发射激光瞬间加热散热衬底(3)使第一焊料片(5)熔化将芯片(2)与散热衬底(3)焊接；b.焊接跳线(1)与芯片(2)将第二焊料片(7)放置于跳线(1)与芯片(2)之间，发射激光瞬间加热跳线(1)使第二焊料片(7)熔化将跳线(1)与芯片(2)焊接；c.焊接跳线(1)与引脚(4)将跳线(1)紧贴在引脚(4)上，发射激光将跳线(1)和引脚(4)共晶焊接。
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