[发明专利]一种激光掺杂选择性发射结及其制作方法在审
申请号: | 201811527098.0 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN109545903A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 许佳平;朱惠君;张昕宇;金浩;陈康平;姜传伟;余云洋 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请公开了一种激光掺杂选择性发射结的制作方法,通过对初步扩散发射结进行局部激光照射,以得到预处理发射结;去除预处理发射结表面的掺杂源,以得到二次处理发射结;利用预设质量分数的碱溶液,沿激光照射方向对二次处理发射结的表面进行腐蚀,腐蚀高度为预设高度,以得到激光掺杂选择性发射结。通过激光照射使预处理发射结的被照射区域表面掺杂浓度高于未被照射区域,去除表面掺杂源,用预设质量分数的碱溶液,将二次处理发射结的表面腐蚀掉预设高度,导致未被照射区域表面的掺杂浓度降低,而被照射区域表面的掺杂浓度仍然较高,即实现不同区域表面的掺杂浓度独立调节。本申请还提供一种具有上述优点的激光掺杂选择性发射结。 | ||
搜索关键词: | 发射结 选择性发射结 被照射区域 激光掺杂 预设 预处理 二次处理 掺杂 表面掺杂 质量分数 碱溶液 去除 激光照射方向 腐蚀 表面腐蚀 独立调节 激光照射 局部激光 浓度降低 区域表面 掺杂源 制作 申请 照射 扩散 | ||
【主权项】:
1.一种激光掺杂选择性发射结的制作方法,其特征在于,包括:对初步扩散发射结进行局部激光照射,以得到预处理发射结;去除所述预处理发射结表面的掺杂源,以得到二次处理发射结;利用预设质量分数的碱溶液,沿激光照射方向对所述二次处理发射结的表面进行腐蚀,腐蚀高度为预设高度,以得到激光掺杂选择性发射结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的