[发明专利]一种辐照腔中效应物内部场强的局部聚焦装置的构建方法有效

专利信息
申请号: 201811527813.0 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN109701162B 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 胡龙;陈昌华;杜太焦;蔡利兵;郑奎松;朱湘琴;潘亚峰 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: G01R29/08 分类号: G01R29/08
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 胡乐
地址: 710024 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提出一种辐照腔中效应物内部场强的局部聚焦装置及其构建方法,基于介质透镜的聚焦原理来研究辐照腔内效应物内部场强局部聚焦,采用在辐照腔上、下两个平行板的内侧分别放置一定尺寸及一定介质参数的两个介质透镜,靠近介质透镜的效应物内测点的场出现局部增强,并且场强聚焦点与透镜聚焦点并非同一坐标位置(两个位置相近)。本发明克服了实现频率为0~200MHz左右场强聚焦的单凸透镜尺寸过大的技术难题,提高了靠近介质透镜的效应物内部测点的场强,达到了效应物内部测点的局部聚焦效果。
搜索关键词: 一种 辐照 效应 内部 场强 局部 聚焦 装置 构建 方法
【主权项】:
1.一种辐照腔中效应物内部场强的局部聚焦装置,设坐标原点位于辐照腔工作空间的中心位置,x、y及z方向分别为工作空间的长度、高度及宽度方向,其特征在于:该局部聚焦装置包括以xOz平面对称设置并分别贴合于上、下两个平行极板的上、下两个双曲透镜,每个双曲透镜自身以y轴中心对称,并沿y轴向辐照腔工作空间中心凸起;设上双曲透镜的凸起顶点的坐标为(0,y0,0),f为透镜焦点到该凸起顶点的距离,n0为理论模型的透镜的折射率,相应的理论相对介电常数εr0=n02;xOy平面上构成上双曲透镜的双曲线上的点(x,y,0)满足以下数学模型:式中,a、b分别为双曲线实轴和虚轴的一半,且实际透镜的相对介电常数最优解εr≠εr0,由以上数学模型以及辐照腔工作空间尺寸和输入的电磁脉冲共同确定;效应物的局部聚焦位置沿y轴靠近上、下两个双曲透镜任一的凸起顶点,距离不超过30mm。
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