[发明专利]一种制备涂层导体用高钨合金基带的方法在审
| 申请号： | 201811528780.1 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109576644A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张晨曦;马麟;索红莉;崔瑾;纪耀堂;武鑫宇;刘敏;王毅 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/35;C23C14/56;C23C14/58;C23C16/14;C23C16/54;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备涂层导体用高钨合金基带的方法属于金属加工技术领域。清洗Ni5W(W元素的含量＝5at.％)合金基带后，采用物理或化学的方法在其外表面均匀涂覆厚度为100～200nm的纯钨层。将上述涂覆钨层的Ni5W合金基带在氩氢或氢气的保护气氛下进行扩散热处理，热处理温度为1100～1200℃，保温时间2～3h，随炉冷却，使镀层表面的钨原子以置换固溶体的方式大量扩散至芯层置换晶格中的镍原子，以提高具有立方织构的NiW合金基带的钨含量，以获得具有强立方织构的高钨复合基带。本发明使表层的W原子大量渗入芯层，提高整体钨含量，获得织构高钨合金基带。该方法操作简单，成本较低，可实现性强。 | ||
| 搜索关键词： | 基带 高钨合金 合金基带 涂层导体 芯层 制备 置换 金属加工技术 扩散热处理 强立方织构 热处理 镀层表面 复合基带 均匀涂覆 立方织构 随炉冷却 氢气 纯钨层 固溶体 镍原子 钨原子 高钨 晶格 涂覆 钨层 织构 氩氢 渗入 保温 清洗 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种制备涂层导体用高钨合金基带的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)清洗Ni5W合金基带后，即合金基带中W元素的含量＝5at.％；采用物理或化学的方法在其外表面均匀涂覆厚度为100～200nm的纯钨层；(2)将上述涂覆钨层的Ni5W合金基带在氩氢混合气氛或氢气的保护气氛下进行扩散热处理，热处理温度为1100～1200℃，保温时间2～3h，随炉冷却，得到高钨合金基带。
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