[发明专利]一种含氮半导体石墨的制备方法有效
| 申请号： | 201811528875.3 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109437185B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李四中 | 申请（专利权）人： | 华侨大学 |
| 主分类号： | C01B32/21 | 分类号： | C01B32/21;H01L29/167 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;姜谧 |
| 地址： | 362000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含氮半导体石墨的制备方法，本发明使石墨在2000‑3000℃的温度环境中进行热处理，石墨烯面内的碳原子活泼性大大增加，含氮的氮源在高温下其中氮元素在浓度梯度的驱动下扩散至石墨颗粒，且氮的原子直径和碳原子直径差别不大，在高温下氮原子将碳原子替代，实现了氮原子的替代性掺杂，得到氮元素原位替代掺杂的半导体石墨。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含氮半导体石墨的制备方法，其特征在于：包括：将氮源与石墨颗粒混合后，于2000‑3000℃恒温处理1‑1000min，其过程中氮元素在石墨颗粒中浓度梯度的驱动下扩散至石墨颗粒，得到所述含氮半导体石墨。
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