[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，能够充分地适用低负载电容值对应的晶体振子。例如，在布线基板PCB上，配置振荡输入信号XIN用的布线图案LN_XIN和振荡输出信号XOUT用的布线图案LN_XOUT，在其之间的区域中配置接地电源电压VSS用的布线图案LN_VSS1b。在LN_XIN与LN_XOUT之间连接晶体振子XTAL，将成为其负载电容的电容Cg、Cd的一端与LN_VSS1b连接。进而，以包围这些布线图案的方式，配置VSS用的布线图案LN_VSS1a，而且，在下层中也配置VSS用的布线图案LN_VSSn。由此，能够实现XIN节点与XOUT节点之间的寄生电容降低、该节点的噪声耐性提高等。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：基准电流生成电路，生成基准电流；第一MIS晶体管，在电源电压节点与第一节点之间形成源极漏极路径，通过对所述基准电流进行电流镜像，来生成第一电流；第二MIS晶体管，源极与接地电源电压节点连接，在所述第一节点与所述接地电源电压节点之间形成源极漏极路径；第一端子，用于将所述第一节点经由第一电容连接到所述接地电源电压节点；第二端子，用于将与所述第二MIS晶体管的栅极连接的第二节点经由第二电容连接到所述接地电源电压节点、以及用于将与所述第二MIS晶体管的栅极连接的第二节点经由晶体振子连接到所述第一端子；反馈电阻，插入于所述第一节点与所述第二节点之间；以及比较器电路块，以第一比较电压为基准对在所述第一节点中生成的具有第一振幅的第一振荡信号进行大小判定，生成具有比所述第一振幅大的第二振幅的第二振荡信号。