[发明专利]晶圆级超声波芯片组件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811530871.9 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN111403591B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 金玉丰;马盛林;邱奕翔;李宏斌;龚丹 | 申请（专利权）人： | 茂丞（郑州）超声科技有限公司;北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H10N30/87 | 分类号： | H10N30/87;H10N30/50;H10N30/30;H10N30/01;H10N30/057 |
| 代理公司： | 深圳市鼎圣霏凡专利代理事务所(普通合伙) 44759 | 代理人： | 袁野 |
| 地址： | 450000 河南省郑州市郑州高新技术产*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级超声波芯片组件及其制造方法，其中晶圆级超声波芯片组件包含晶圆基板、超声波元件、第一保护层、导电线路、第二保护层、传导材料、特用芯片、导电柱及焊接部。晶圆基板包含贯通晶圆基板的贯通槽。超声波元件曝露于贯通槽。导电线路位于第一保护层上，并连接超声波元件。第二保护层覆盖导电线路，第二保护层具有对应于超声波元件的开口。传导材料接触超声波元件。特用芯片连接晶圆基板，使贯通槽在特用芯片及超声波元件间形成空间。导电柱设置于贯穿特用芯片、晶圆基板及第一保护层的穿孔中，并分别连接导电线路及焊接部。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 超声波 芯片 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于茂丞（郑州）超声科技有限公司;北京大学深圳研究生院，未经茂丞（郑州）超声科技有限公司;北京大学深圳研究生院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811530871.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种图像检测方法及装置
- 下一篇：一种金属海水燃料电池
