[发明专利]一种低损耗大有效面积单模光纤及其制备方法在审
| 申请号： | 201811531094.X | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109655961A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 沈小平;杨志杰;曹锦松;丁润琪;沈佳;满小忠;朱坤 | 申请（专利权）人： | 通鼎互联信息股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;G02B6/036 |
| 代理公司： | 苏州知途知识产权代理事务所(普通合伙) 32299 | 代理人： | 陈瑞泷 |
| 地址： | 215233 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低损耗大有效面积单模光纤及其制备方法，光纤从内到外是内芯层、外芯层、内包层、下陷层和外包层，采用MCVD+OVD的工艺制备，内芯层半径为r1＝4～7μm，内芯层相对折射率为△n1＝0.25％～0.45％；外芯层半径为r2＝5～9μm，外芯层相对折射率为△n2＝0.1％～0.3％；内包层半径为r3＝9.5～15μm，内包层相对折射率为△n3＝‑0.02％～0.02％；下陷层半径为r4＝12～25μm，下陷层相对折射率为△n4＝‑0.15％～‑0.55％；外包层为纯二氧化硅，外包层半径r5＝60‑65μm。本发明光纤的有效面积、截止波长、衰减、色散、弯曲损耗等综合性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 折射率 有效面积 内包层 内芯层 外包层 外芯层 下陷 单模光纤 低损耗 制备 光纤 纯二氧化硅 工艺制备 截止波长 弯曲损耗 综合性能 色散 衰减 | ||
【主权项】：
1.一种低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于，从内到外依次是内芯层、外芯层、内包层、下陷层和外包层，其中：内芯层的半径为r1＝4～7μm，内芯层的相对折射率为△n1＝0.25％～0.45％；外芯层的半径为r2＝5～9μm，外芯层的相对折射率为△n2＝0.1％～0.3％；内包层的半径为r3＝9.5～15μm，内包层的相对折射率为△n3＝‑0.02％～0.02％；下陷层的半径为r4＝12～25μm，下陷层的相对折射率为△n4＝‑0.15％～‑0.55％；外包层为纯二氧化硅，外包层半径r5＝60‑65μm。
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