[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
| 申请号： | 201811531441.9 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN110071055B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 武明励;林昌之;太田乔 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 日本京都府京都市上京区堀川通寺之内上*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理方法对基板(W)进行处理。基板处理方法包含：利用磷酸液(Lp)对基板(W)进行处理的步骤、利用淋洗液(Lr)对基板(W)进行处理的步骤及利用含有氨的药液(Lc)对基板(W)进行处理的步骤。在利用淋洗液(Lr)对基板(W)进行处理后，利用药液(Lc)对基板(W)进行处理的步骤从利用磷酸液(Lp)对基板(W)进行了处理时形成在基板(W)上的磷扩散区域(PD)中去除磷扩散区域(PD)的深度方向上的一部分的厚度的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，其是对基板进行处理的基板处理方法，其特征在于，包括：利用磷酸液对所述基板进行处理的步骤；在利用所述磷酸液对所述基板进行处理后，利用淋洗液对所述基板进行处理的步骤；以及在利用所述淋洗液对所述基板进行处理后，以从利用所述磷酸液对所述基板进行了处理时形成在所述基板上的磷扩散区域中去除所述磷扩散区域的深度方向上的一部分的厚度的膜的方式，利用含有氨的药液对所述基板进行处理的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
