[发明专利]包括阻挡区的半导体器件在审
| 申请号： | 201811531738.5 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN110010679A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | C.伦德茨;M.比纳;M.达伊内塞;A.P-S.谢;C.P.桑多 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;申屠伟进 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 公开了包括阻挡区的半导体器件。半导体器件包括晶体管。晶体管包括在具有第一主表面的半导体衬底中的第一导电类型的漂移区和在漂移区和第一主表面之间的第二导电类型的主体区。晶体管进一步包括在第一主表面中的多个沟槽。各沟槽使半导体衬底图案化为包括第一台面和虚设台面的多个台面。所述多个沟槽包括至少一个有源沟槽。第一台面和虚设台面分别被布置在有源沟槽的相对的侧处。晶体管进一步包括布置在有源沟槽中的栅极电极和在第一台面中的第一导电类型的源极区。晶体管的单侧沟道被配置为形成在第一台面中。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 晶体管 半导体器件 主表面 第一导电类型 漂移区 阻挡区 衬底 半导体 虚设 导电类型 栅极电极 源极区 主体区 沟道 图案 配置 | ||
【主权项】：
1.一种包括晶体管的半导体器件，包括：在具有第一主表面的半导体衬底中的第一导电类型的漂移区；在漂移区和第一主表面之间的第二导电类型的主体区；在第一主表面中的多个沟槽，各沟槽使半导体衬底图案化为包括第一台面和虚设台面的多个台面；所述多个沟槽包括至少一个有源沟槽，其中第一台面被布置在有源沟槽的第一侧处，并且虚设台面被布置在有源沟槽的第二侧处；被布置在有源沟槽中的栅极电极；以及在第一台面中的第一导电类型的源极区，其中晶体管的单侧沟道被配置为形成在第一台面中。
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