[发明专利]平面式场效应晶体管在审
| 申请号： | 201811531739.X | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN110010686A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | G.科茨洛夫斯基;A.迈泽 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本公开内容涉及一种平面式场效应晶体管（100）。所述平面式场效应晶体管（100）具有在半导体本体（112）的第一表面（106）上在沟道区域（104）和漏极连接端（D）之间的漏极扩展区域（102）。此外，所述平面式场效应晶体管（100）具有第一电极部分（108）和第二电极部分（110），其横向相互间隔开，其中，所述第一电极部分（108）作为栅电极布置在所述沟道区域（104）之上，所述第二电极部分（110）布置在所述漏极扩展区域（102）之上并且与所述第一电极部分（108）电分离。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应晶体管 平面式 第一电极 漏极 第二电极 沟道区域 扩展区域 半导体本体 第一表面 电分离 连接端 栅电极 | ||
【主权项】：
1.一种平面式场效应晶体管（100），所述平面式场效应晶体管具有：在半导体主体（112）的第一表面（106）上在沟道区域（104）和漏极连接端（D）之间的漏极扩展区域（102）；第一电极部分（108）和第二电极部分（110），所述第一电极部分和所述第二电极部分横向相互间隔开，其中，所述第一电极部分（108）作为栅电极布置在所述沟道区域（104）之上，并且所述第二电极部分（110）布置在所述漏极扩展区域（102）之上并且与所述第一电极部分（108）电分离。
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