[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底，具有有源区；以及在衬底的有源区上的第一晶体管至第三晶体管，第一晶体管至第三晶体管中的每个包括在衬底上的电介质层、在电介质层上的金属层以及在电介质层和金属层之间的阻挡层。第一晶体管和第二晶体管中的每个还包括在电介质层和阻挡层之间的功函数层。其中第三晶体管的阻挡层与第三晶体管的电介质层接触，以及其中第二晶体管的阈值电压大于第一晶体管的阈值电压并且小于第三晶体管的阈值电压。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底，具有有源区；和第一晶体管至第三晶体管，在所述衬底的所述有源区上，所述第一晶体管至所述第三晶体管中的每个包括：在所述衬底上的电介质层，在所述电介质层上的金属层，和在所述电介质层和所述金属层之间的阻挡层；和所述第一晶体管和所述第二晶体管的每个还包括在所述电介质层和所述阻挡层之间的功函数层，其中所述第三晶体管的所述阻挡层与所述第三晶体管的所述电介质层接触，以及其中所述第二晶体管的阈值电压大于所述第一晶体管的阈值电压并小于所述第三晶体管的阈值电压。