[发明专利]碳化硅MOSFET及其制备方法有效
| 申请号： | 201811532737.2 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN111326584B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 李俊俏;李永辉;周维 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了碳化硅MOSFET及其制备方法，该碳化硅MOSFET包括碳化硅衬底、第一导电类型轻掺杂外延层、第二导电类型轻掺杂外延层、接触区、源极区、栅槽、轻掺杂注入区、栅氧层、栅极、介质层、金属电极和漏极。该碳化硅MOSFET通过在栅槽内壁上设置有第一导电类型轻掺杂注入区，可以有效使得沟道表面区域载流子浓度增加，进而有效提高沟道迁移率并降低沟道电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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