[发明专利]一种基于费米狄拉克材料的可调二频段THz吸收器有效

专利信息
申请号: 201811533729.X 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN109638471B 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 阙隆成;孟威威;闵道刚;罗昕杰;吕坚;蒋亚东 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01Q17/00 分类号: H01Q17/00;G02B5/00;G02B1/00
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 李朝虎
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于费米狄拉克材料的可调二频段THz吸收器,包括吸收层1、反射层2上下层叠紧密贴合组成的晶格单元,所述吸收层1为光子晶体,所述反射层2为狄拉克材料。本发明所述超材料吸收器不同于传统的“金属‑电介质‑金属”配置的三层结构,基于金、银、铜等贵金属的传统吸波器只能设计在固定的吸收峰上,如果要将吸收峰调整到其他频率区域,必须对吸波器的几何参数进行仔细的重新优化。本发明本不仅结合了狄拉克材料实现了可调谐频率,而且仅结合光子晶体,其结构因此显得更简单,尤其是没有金属结构的图案,成本低,易于加工。
搜索关键词: 一种 基于 费米 狄拉克 材料 可调 频段 thz 吸收
【主权项】:
1.一种基于费米狄拉克材料的可调二频段THz吸收器,其特征在于,包括吸收层(1)、反射层(2)上下层叠紧密贴合组成的晶格单元,所述吸收层(1)为光子晶体,所述反射层(2)为狄拉克材料。
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