[发明专利]一种Ga元素掺杂In2 有效
| 申请号： | 201811534550.6 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109503147B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 冯晶;黄璐璐;葛振华;蒋业华;郭俊;师晓莉 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 昆明知道专利事务所(特殊普通合伙企业) 53116 | 代理人： | 谢乔良;张玉 |
| 地址： | 650500 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低的Ga元素掺杂In |
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| 搜索关键词： | 一种 ga 元素 掺杂 in base sub | ||
【主权项】：
1.一种结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低的Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料，其特征在于所述的结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低的Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料是以In2O3、ZnO和Ga2O3为原料制备得到，所述的所述的结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低的Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料为超晶格结构，在973K高温下：热导率为1.40～1.65 Wm‑1K‑1，ZT值在0.15~0.25；且在温度700℃下均不发生相变。
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