[发明专利]场效应晶体管及制备方法、电子设备在审
| 申请号： | 201811534680.X | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN111326573A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 曹群;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 深圳比亚迪微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了场效应晶体管及制备方法、电子设备。该场效应晶体管包括：依次层叠设置的SiC衬底、SiC外延层以及栅氧结构，其中，所述栅氧结构包括依次层叠设置的过渡层、阻挡层以及氧化层，所述过渡层设置在所述SiC外延层远离所述SiC衬底的一侧，构成所述过渡层以及所述氧化层的材料均为SiO |
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| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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