[发明专利]一种直流磁控溅射法制备光电催化氧化钛电极的方法在审

专利信息
申请号: 201811535506.7 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN109457227A 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 尹荔松;向成承;周克省;蓝键;马思琪;涂驰周 申请(专利权)人: 五邑大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58
代理公司: 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 代理人: 王新爱
地址: 529000*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种直流磁控溅射法制备光电催化氧化钛电极的方法,该直流磁控溅射法制备光电催化氧化钛电极的方法采用直流磁控溅射方法制备了氧化钛薄膜电极,把磁控原理与溅射相结合,既保持了溅射的优点,又克服了溅射的缺点,具有其独特的优越性;还可以大大降低基片温度,提高了沉积率,溅射速率高,也解决了薄膜被污染的问题。
搜索关键词: 光电催化氧化 直流磁控溅射 钛电极 溅射 氧化钛薄膜电极 采用直流 磁控溅射 磁控原理 沉积率 制备 薄膜 污染
【主权项】:
1.一种直流磁控溅射法制备光电催化氧化钛电极的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)基片清洗:以钛网为基片,将钛网钛网切割成尺寸7.5cm×2.8cm,用砂纸打磨,打磨之后用蒸馏水冲洗,然后再用丙酮作超声波清洗20min,然后用乙醇、蒸馏水各清洗20min,最后将擦洗过的钛网基片吹干,放在洁净环境中备用;(2)预抽真空:将钛网基片放入真空室中,将挡板旋转到Ti靶的正下方以遮住Ti靶,将真空室抽真空到2.0×10‑4Pa的本底真空压强;(3)预溅射:通过气体流量控制计,将Ar气通入真空室中,启动溅射电源,逐步升高溅射电压至开始出现辉光放电,之后缓慢升高溅射电压;预溅射时间20~30分钟,直至Ti靶表面辉光放电的颜色由粉红转变为蓝白色,结束预溅射工作;(4)溅射薄膜:以Ar作为工作气体和O2为反应气体,分别通入真空室中,将钛网基片装在可绕中心轴旋转的衬底架上,衬底架内有钼丝对衬底加热,钛网基片温度控制在280℃,Ti靶到钛网基片距离为8.0cm,溅射功率为100W,溅射时间60min;之后依次关闭直流溅射电源、气体控制阀门、分子泵、机械泵和总电源,关闭总电源后15分钟关掉循环水,待真空室的温度降至室温时取出;(5)退火处理:溅射后放入马弗炉中分别在200℃恒温中加热1小时和在500℃恒温中加热1小时,退火结束后,在马弗炉中放置9小时,让其自然冷却后取出,得到氧化钛电极。
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