[发明专利]非易失性存储器及其编程方法在审
| 申请号： | 201811536494.X | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN111326200A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈敏怡;陈春晖;罗啸 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司;上海格易电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/34;G11C16/08;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非易失性存储器以及一种非易失性存储器的编程方法。所述非易失性存储器包括多条字线，多条位线，存储器单元阵列，以及控制器。所述存储器单元阵列通过所述多条字线和所述多条位线寻址。所述控制器设置为：向与所述存储器单元阵列中的待编程存储器单元连接的字线首先施加一个递增的第一编程电压脉冲，之后施加一个或者多个增量阶跃脉冲编程电压。通过本发明的非易失性存储器以及一种非易失性存储器的编程方法，能够减少编程电压对存储器单元的栅极氧化层的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
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