[发明专利]位置偏移检测方法、位置偏移检测装置以及显示装置有效
申请号: | 201811537784.6 | 申请日: | 2018-12-15 |
公开(公告)号: | CN110034033B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 井川祐太;村越健一;东坂浩由;赤濑成之 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L27/15 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚;习冬梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 用简单的方法来准确地检测半导体元件的电连接单元和与所述半导体元件的电连接部电连接的设备的电连接部之间的位置偏移。根据半导体元件的电极焊盘2与设备的电极5之间的导通状态,来检测这些电极焊盘2与电极5之间的位置偏移。电极焊盘2被分割为数个,第一焊盘21至第四电极焊盘24均匀排列设置。位置偏移检测部在电极焊盘2与电极5导通时,判断为不存在所述位置偏移,电极焊盘2未与电极5导通时,判断为存在所述位置偏移。 | ||
搜索关键词: | 位置 偏移 检测 方法 装置 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种位置偏移检测方法,用于检测半导体元件的电连接部以及与所述半导体元件的电连接部电连接的设备的电连接部之间的位置偏移,其特征在于:基于所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部的导通状态来检测所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的位置偏移。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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