[发明专利]层结构复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811539841.4 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109637924A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;胡聪;王佳乐;敖金平 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 袁文英 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种层结构复合材料及其制备方法，由于采用表面化学的方式进行了界面处理，提升了材料性能的同时避免了杂质引起的功能缺陷，具体的制备方法为：将抛光后的GaN衬底进行清洗处理；用酸清除氮化镓表面的原生氧化物；在原子层沉积仪中，以惰性气体为载气体，衬底温度为250‑350℃，用三甲基铝处理衬底其中一个表面；在原子层沉积仪中以惰性气体为载气体，利用铝源和氧源，衬底温度为250‑350℃，沉积氧化铝介质层；在氧化铝介质层镀上金属膜。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 制备 氧化铝介质 原子层沉积 惰性气体 结构复合材料 氮化镓表面 原生氧化物 表面化学 材料性能 功能缺陷 界面处理 清洗处理 三甲基铝 复合材料 层结构 金属膜 抛光 铝源 氧源 种层 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种层结构复合材料，其特征在于：所述层结构包括氮化镓衬底，还包括氧化铝层和金属层，沿所述氮化镓衬底至金属层的方向，所述氮化镓衬底、氧化铝层和金属层依次层叠结合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
