[发明专利]电致发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811540228.4 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109599508B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张孟;李霞 | 申请（专利权）人： | 嘉兴纳鼎光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 叶蕙;王锋 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市海宁市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电致发光器件的制备方法，包括：通过雾化沉积的方式制备空穴传输层、量子点发光层及电子传输层中的任意一种或多种，其中，制备空穴传输层具体包括：将空穴传输层墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜；制备量子点发光层具体包括：将量子点墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜；制备电子传输层具体包括：将电子传输层墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜。本发明的电致发光器件的制备方法，利用雾化沉积方式制备空穴传输层、量子点发光层及电子传输层中的任意一种或多种，与掩模版相配合来实现空穴传输层、量子点发光层及电子传输层的像素化，实现高像素显示，像素可达1000PPI。 | ||
| 搜索关键词： | 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括：通过雾化沉积的方式制备空穴传输层、量子点发光层及电子传输层中的任意一种或多种，其中：制备空穴传输层具体包括：将空穴传输层墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜；制备量子点发光层具体包括：将量子点墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜；制备电子传输层具体包括：将电子传输层墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴纳鼎光电科技有限公司，未经嘉兴纳鼎光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811540228.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
