[发明专利]用于指纹识别传感器芯片的增强膜、及包括其的指纹识别传感器模块有效
| 申请号： | 201811540291.8 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN110027283B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 李东烈;崔裁源;柳成柱;尹勤泳;朴钟贤;朴成默;具滋敏 | 申请（专利权）人： | 利诺士尖端材料有限公司 |
| 主分类号： | B32B27/06 | 分类号： | B32B27/06;B32B27/08;B32B27/28;B32B27/38;B32B7/06;B32B7/12;C08L101/00;C08L63/00;C08J5/18;C09J201/00;C09J163/00;C09J11/04 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;宋东颖 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于指纹识别传感器芯片的增强膜、其制备方法及应用其的指纹识别传感器模块，更具体而言，涉及能够通过将上述增强膜直接应用于指纹识别传感器来提供轻薄短小化的指纹识别传感器模块的发明。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 指纹识别 传感器 芯片 增强 包括 模块 | ||
【主权项】：
1.一种用于指纹识别传感器芯片的增强膜，其特征在于，在应用于指纹识别传感器芯片时，从指纹识别传感器芯片侧起层叠有平均厚度为10μm～25μm的处于B阶段状态的软质层和平均厚度为10μm～25μm的硬质层，各个上述软质层和上述硬质层在固化之后的储能模量满足下述方程式1，[方程式1]15<{硬质层在25℃下的储能模量值(Mpa)/软质层在25℃下的储能模量值(Mpa)}<30在方程式1中，上述储能模量值在180℃下固化宽度为20mm且长度为5mm的样品2小时之后，通过使用买自珀金埃尔默股份有限公司的动态热机械分析仪即Diamond DMA来在测定温度为‑30℃～300℃、升温速度为10℃/分钟、测定频率为10Hz的条件下测定而获得。
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