[发明专利]形成用于半导体装置连接的通孔的方法在审
| 申请号： | 201811540781.8 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110164773A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 余振华;苏安治;吴集锡;叶德强;吴仓聚;邱文智;叶名世 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开一种在半导体装置中形成通孔的方法。在实施例中，所述方法可包括：将第一衬底的第一端子及第二端子结合到第二衬底的第三端子及第四端子；对第一衬底进行分离以形成第一组件装置及第二组件装置；在第一组件装置、第二组件装置及第二衬底之上形成间隙填充材料；形成从间隙填充材料的顶表面延伸到第二衬底的第五端子的导电通孔；以及在第一组件装置的顶表面之上形成顶部端子，所述顶部端子经由导电通孔将第一组件装置连接到第二衬底的第五端子。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 第一组件 间隙填充材料 半导体装置 导电通孔 第二组件 顶表面 通孔 端子结合 装置连接 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种形成用于半导体装置连接的通孔的方法，其特征在于，包括：将第一衬底的第一端子及第二端子结合到第二衬底的第三端子及第四端子；对所述第一衬底进行分离以形成第一组件装置及第二组件装置；在所述第一组件装置、所述第二组件装置及所述第二衬底之上形成间隙填充材料；形成从所述间隙填充材料的顶表面延伸到所述第二衬底的第五端子的导电通孔；以及在所述第一组件装置的顶表面之上形成顶部端子，所述顶部端子经由所述导电通孔将所述第一组件装置连接到所述第二衬底的所述第五端子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
