[发明专利]一种提高太阳能电池抗光衰能力的方法和应用有效
申请号: | 201811542505.5 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN109616555B | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 贾佳;周肃;黄青松;黄惜惜;邱家梁;张鑫义;勾宪芳;黄国平;张会学;明杰;陈中一 | 申请(专利权)人: | 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王术兰 |
地址: | 212000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本发明涉及一种提高太阳能电池抗光衰能力的方法和应用,属于太阳能电池技术领域。一种提高太阳能电池抗光衰能力的方法,包括:向晶硅太阳能电池片通入递减式电流,递减式电流的通入方式包括依次进行的n个阶段。该方法通过采用递减式电流的注入方式匹配不同阶段温度变化来降低光衰幅度、提高具有优良抗光衰能力电池比例。减少电注入退火过程中晶硅太阳能电池片间的温度差异,使片间温度均匀性更好,晶硅太阳电池在70℃、800W/m |
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搜索关键词: | 一种 提高 太阳能电池 抗光衰 能力 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种提高太阳能电池抗光衰能力的方法,其特征在于,包括:向晶硅太阳能电池片通入递减式电流,所述递减式电流的通入方式包括依次进行的n个阶段:第一阶段:在T1温度下,通入的电流为I1,运行时间为t1;第二阶段:在T2温度下,通入的电流为I2,运行时间为t2;第n阶段:在Tn温度下,通入的电流为In,运行时间为tn;其中I1>I2>In,T1≥T2>Tn,T1‑Tn=50~100℃,n为大于等于3的自然数。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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