[发明专利]一种Si-B-C三组元相的高通量制备方法在审
| 申请号： | 201811542938.0 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111320475A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 董绍明;廖春景;靳喜海;胡建宝;章龙龙;高乐;王震 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/515 | 分类号： | C04B35/515 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种Si‑B‑C三组元相的高通量制备方法，包括：（1）将多片基板分别放入到沉积反应室中的不同区域内；（2）抽真空、充入惰性气体再抽真空；（3）加热所述沉积反应室中的所述不同区域至不同的设定温度以使所述不同区域处于不同的温度场；（4）通入SiCH |
||
| 搜索关键词： | 一种 si 三组元相 通量 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811542938.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
