[发明专利]金属线及阵列基板的制作方法、阵列基板有效
申请号: | 201811543845.X | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN109616442B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 刘宁 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/528;H01L27/12;G03F7/00 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本申请涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种金属线的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板。该金属线的制作方法包括:在基板上形成金属层;在所述金属层上形成光阻图案,所述光阻图案包括第一光阻图案和位于所述第一光阻图案上的第二光阻图案,所述第一光阻图案在所述金属层上的正投影位于所述第二光阻图案在所述金属层上的正投影内;对所述金属层进行构图工艺,以形成中间金属线;将所述第二光阻图案从所述第一光阻图案上剥离下来;对所述中间金属线进行构图工艺,以形成金属线。本方案可减小金属线的横截面的坡度角,从而方便后续金属跨线,极大的提升了产品良率及显示质量。 | ||
搜索关键词: | 金属线 阵列 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造