[发明专利]用于减小半导体器件中的栅致漏极泄露的方法和相关装置有效
| 申请号： | 201811544030.3 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110556425B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 郑光茗;周建志;段孝勤;陈奕寰;亚历山大·卡利尼斯基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，提供了半导体器件。半导体器件包括设置在半导体衬底中的一对源极/漏极区域，其中，源极/漏极区域横向间隔开。栅电极设置在源极/漏极区域之间的半导体衬底上方。侧壁间隔件设置在栅电极的相对侧上的半导体衬底上方。硅化物阻挡结构设置在侧壁间隔件上方，其中，源极/漏极区域的面向栅电极的相应侧与侧壁间隔件的外侧间隔开，并且与硅化物阻挡结构的外侧壁基本对准。本发明实施例涉及用于减小半导体器件中的栅致漏极泄露的方法和相关装置。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减小 半导体器件 中的 栅致漏极 泄露 方法 相关 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n一对源极/漏极区域，设置在半导体衬底中，其中，所述源极/漏极区域横向间隔开；/n栅电极，设置在所述源极/漏极区域之间的所述半导体衬底上方；/n侧壁间隔件，设置在所述栅电极的相对侧上的所述半导体衬底上方；以及/n硅化物阻挡结构，设置在所述侧壁间隔件上方，其中，所述源极/漏极区域的面向所述栅电极的相应侧与所述侧壁间隔件的外侧间隔开，并且与所述硅化物阻挡结构的外侧壁对准。/n
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