[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 201811544410.7 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109935676B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 外山智一郎;安齐秀晃;桥本健矢;谷田贝亮 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/54;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光器件，其能够抑制树脂部形状的偏差。半导体发光器件(A1)包括：具有基材(11)、导体层(12)以及绝缘层(13)的衬底(1)；半导体发光元件(2)；和树脂部(3)，基材(11)具有一对基材第一侧面(113)和一对基材第三侧面(115)，导体层(12)具有正面部(121)和侧面部(123)，正面部(121)具有正面第一部(1211)，绝缘层(13)具有绝缘层第一部(131)和绝缘层第二部(132)，树脂部(3)覆盖绝缘层(13)的绝缘层第一部(131)和绝缘层第二部(132)，绝缘层第一部(131)的厚度即第一厚度(t1)大于绝缘层第二部(132)的厚度即第二厚度(t2)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：衬底，其包括：具有朝向厚度方向一侧的基材正面和朝向所述厚度方向另一侧的基材背面的绝缘性基材、形成于所述基材的导体层、以及覆盖所述导体层的一部分的绝缘层；搭载于所述衬底的所述基材正面侧的半导体发光元件；和覆盖所述半导体发光元件的树脂部，其能够使来自所述半导体发光元件的光透过，所述衬底的所述基材具有：在第一方向上隔开间隔的一对基材第一侧面，其分别连接所述基材正面与所述基材背面；和在所述厚度方向上看时比所述基材第一侧面向所述半导体发光元件侧凹进的基材第三侧面，该基材第三侧面分别连接所述基材正面与所述基材背面，所述导体层具有形成于所述基材正面的正面部和形成于所述基材第三侧面的侧面部，所述正面部具有在所述半导体发光元件侧与所述基材第三侧面邻接、并且与所述侧面部相连的正面第一部，所述绝缘层具有：在所述厚度方向上看时相对于所述基材第三侧面位于与所述半导体发光元件相反的一侧的绝缘层第一部；和在所述厚度方向上看时与所述导体层的所述正面第一部重叠的绝缘层第二部，所述树脂部覆盖所述绝缘层的所述绝缘层第一部和所述绝缘层第二部，所述绝缘层第一部的厚度即第一厚度大于所述绝缘层第二部的厚度即第二厚度。
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