[发明专利]一种电容耦合等离子体刻蚀设备有效
| 申请号： | 201811544972.1 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111326382B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 黄允文;倪图强;梁洁;赵金龙;吴磊 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/02 | 分类号： | H01J37/02;H01J37/305;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种电容耦合等离子体刻蚀设备，下电极固定于导电支撑杆的下端，在导电支撑杆的下端固定有可伸缩导电部，该可伸缩导电部沿导电支撑杆的轴向伸缩，同时，通过电连接部将可伸缩导电部的下端与射频匹配器输出端之间的电连接起来，这样，可以通过可伸缩导电部的伸缩来控制下电极的高度，从而，使得上下极板之间的间距可调。同时，在下电极的外侧，还设置有内导电环，该内导电环通过可伸缩导电部与腔体电连接，该内导电环下电极与腔体内的射频返回路径之间形成屏蔽，避免移动过程中下电极射频场引起射频回路的不稳定，从而实现极板间距的可调的同时，兼顾射频回路的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 耦合 等离子体 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司，未经中微半导体设备（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811544972.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
