[发明专利]一种硒、硫酸根共掺杂高镍正极材料及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及一种硒、硫酸根共掺杂高镍正极材料及其制备方法和应用，所述正极材料为硒和硫酸根共同掺杂改性的高镍正极材料，化学式为LiNixM1‑xSea(SO4)bO2‑a‑b，其中，M为Mn、Co或Al中的至少一种，且0.5≤x＜1，0＜a≤0.05，0＜b≤0.05。本发明利用硒和硫酸根对高镍正极材料进行阴离子掺杂，改善材料晶格结构；硒和硫酸根具有良好的协同作用，能够提高材料在大电流密度下的结构稳定性，明显改善高镍正极材料的电化学性能。所得正极材料在2.5‑4.2V电压窗口，0.1C电流密度下，首次循环放电比容量≥190mAh/g，1C电流密度下容量保持率≥90％，具有良好的应用前景。

主权项

1.一种硒、硫酸根共掺杂高镍正极材料，其特征在于，所述正极材料为硒和硫酸根共同掺杂改性的高镍正极材料，化学式为LiNixM1‑xSea(SO4)bO2‑a‑b，其中，M为Mn、Co或Al中的至少一种，且0.5≤x＜1，0＜a≤0.05，0＜b≤0.05。