[发明专利]倒金字塔绒面及太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 201811545378.4 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN109659380A | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 邱家梁;周肃;黄惜惜;黄青松;贾佳;张鑫义;勾宪芳;黄国平 | 申请(专利权)人: | 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 贾颜维 |
地址: | 212000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供倒金字塔绒面及太阳能电池的制备方法,属于晶体硅太阳能电池领域。倒金字塔绒面制备方法适于链式反应设备,包括:步骤a.将硅片浸入含Ag+、HF以及HNO3的预处理溶液中进行银沉积及表面织构化,在硅片表面形成含银颗粒的纳米级腐蚀坑;步骤b.将步骤a得到的硅片使用硅腐蚀液处理,去除硅片表面的银颗粒;步骤c.将步骤b得到的硅片使用碱性溶液处理,将纳米级腐蚀坑扩大为亚微米倒金字塔腐蚀坑。通过一步法对硅片表面进行处理形成纳米级别的绒面,再利用碱性溶液与硅的各向异性反应特性对纳米绒面进行修饰从而形成亚微米的倒金字塔陷光结构。太阳能电池的制备方法包括对倒金字塔绒面制备方法制得的硅片进行加工。 | ||
搜索关键词: | 倒金字塔 绒面 制备 硅片 太阳能电池 硅片表面 腐蚀坑 纳米级 晶体硅太阳能电池 碱性溶液处理 链式反应设备 表面织构化 预处理溶液 反应特性 碱性溶液 纳米级别 陷光结构 浸入 硅腐蚀 液处理 一步法 银沉积 银颗粒 再利用 含银 去除 修饰 加工 | ||
【主权项】:
1.一种倒金字塔绒面制备方法,适于链式反应设备,其特征在于,包括:步骤a.将硅片浸入含Ag+、HF以及HNO3的预处理溶液中进行银沉积及表面织构化,在所述硅片表面形成含银颗粒的纳米级腐蚀坑;步骤b.将步骤a得到的所述硅片使用硅腐蚀液处理,去除所述硅片表面的所述银颗粒;步骤c.将步骤b得到的所述硅片使用碱性溶液处理,将所述纳米级腐蚀坑扩大为亚微米倒金字塔腐蚀坑。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的